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型号 SI8441DB-T2-E1
厂商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET P-CH 20V 10.5A 2X2 6MFP
SI8441DB-T2-E1 PDF
代理商 SI8441DB-T2-E1
标准包装 3,000
系列 TrenchFET®
FET 型 MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 10.5A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 80 毫欧 @ 1A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 700mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 13nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds 600pF @ 10V
功率 - 最大 13W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-MICRO FOOT?
供应商设备封装 6-Micro Foot?
包装 带卷 (TR)
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